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描述:品牌:Hiden 型號:TOF-qSIMS 制造商:Hiden Analytical Ltd 產(chǎn)地: 英國
Hiden TOF-qSIMS 飛行時間二次離子質(zhì)譜工作站設(shè)計用于多種材料的表面分析和深度剖析應(yīng)用,包括聚合物,藥物,超導體,半導體,合金,光學和功能涂層以及電介質(zhì),檢測限低于1ppm。 TOF-qSIMS Workstation 包含了四極桿質(zhì)譜和飛行時間質(zhì)譜。 四極桿qSIMS主要用于摻雜物深度剖析和薄層分析,低入射能力,高入射電流,濺射和分析連續(xù)進行,是典型的Dynamic SIMS 動態(tài)SIMS。 飛行時間二次離子質(zhì)譜TOF-SIMS使用飛行時間質(zhì)譜,質(zhì)量數(shù)范圍寬,質(zhì)量分辨率高,且測量速度快(瞬間得到全譜)。離子槍僅需要一次脈沖濺射,即可得到全譜,對表面幾乎無破壞作用。因脈沖模式分析,且電流小,所以產(chǎn)生的二次離子比率相對少,靈敏度相比動態(tài)SIMS弱,但成像和表面分析能力強,是典型的Stactic SIMS 靜態(tài)SIMS。
TOF-qSIMS workstation 綜合了Quadrupole SIMS 和 TOF-SIMS的優(yōu)點,可以分析所有的導體、半導體、絕緣材料;對硅、高k、硅鍺以及III-V族化合物等復合材料的薄層提供超淺深度剖析、痕量元素和組分測量等一系列擴展功能。對于材料/產(chǎn)品表面成分及分布,表面添加組分、雜質(zhì)組分、表面多層結(jié)構(gòu)/鍍膜成分、表面異物殘留(污染物、顆粒物、腐蝕物等)、表面痕量摻雜、表面改性、表面缺陷(劃痕、凸起)等有很好的表征能力。
一臺SIMS同時提供四極桿質(zhì)譜和飛行時間質(zhì)譜 靜態(tài)SIMS Static SIMS 動態(tài)SIMS Dynamic SIMS Ar+, O2+, Cs+, Ga+ 等多種離子槍 樣品 3D成像分析 檢測限低于ppm SNMS 離子源,二次中性粒子譜 二次離子質(zhì)譜成像軟件,靜態(tài)二次離子質(zhì)譜圖庫,二次離子質(zhì)譜后處理軟件 詳情請聯(lián)系 info@hiden.cn
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